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5G、新能源車(chē)需求強(qiáng)勁,今年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逾2907億

欄目:行業(yè)動(dòng)態(tài) 發(fā)布時(shí)間:2019-03-14

受益于新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià),帶動(dòng)了2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)……

TrendForce在最新《中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》指出,受益新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià),帶動(dòng)2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.76%至2,591億元人民幣,其中離散式元件市場(chǎng)規(guī)模為1,874億元人民幣,較2017年成長(zhǎng)14.7%;電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模為717億元人民幣,較2017年增長(zhǎng)8%。

分析師謝瑞峰指出,功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動(dòng)型的產(chǎn)業(yè),2019年景氣仍然持續(xù)向上,雖然仍有貿(mào)易戰(zhàn)等不利因素影響,但在需求驅(qū)動(dòng)下受影響程度要小于其他IC產(chǎn)品,TrendForce預(yù)估,2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2,907億元人民幣,較2018年成長(zhǎng)12.17%,維持雙位數(shù)的成長(zhǎng)表現(xiàn)。

受益于中國(guó)國(guó)產(chǎn)替代的政策推動(dòng)和缺貨漲價(jià)的狀況,2018年多家中國(guó)本土功率半導(dǎo)體廠(chǎng)商取得亮眼的成績(jī),并擴(kuò)大布局腳步。其中,比亞迪微電子憑藉擁有終端的優(yōu)勢(shì),在車(chē)用IGBT市場(chǎng)快速崛起,取得中?車(chē)用IGBT市場(chǎng)超過(guò)兩成的市占率,一躍成為銷(xiāo)售額位于中國(guó)前三的IGBT供應(yīng)商;MOSFET廠(chǎng)商華微電子和揚(yáng)杰科技營(yíng)收大增,并且逐漸導(dǎo)入IGBT市場(chǎng)。

另外,有新建與規(guī)劃IGBT產(chǎn)線(xiàn)的廠(chǎng)商包含士蘭微廈門(mén)12寸特色工藝產(chǎn)線(xiàn)、華潤(rùn)微電子在重慶建設(shè)的12寸特色工藝產(chǎn)線(xiàn),以及積塔半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)汽車(chē)級(jí)IGBT產(chǎn)線(xiàn)等。同時(shí),多家廠(chǎng)商也投入研發(fā)SiC等新材料技術(shù)領(lǐng)域,基本半導(dǎo)體的SiC MOSFET已進(jìn)入量產(chǎn)上市,而定位為代工的三安光電SiC產(chǎn)線(xiàn)也已開(kāi)始接單、比亞迪微電子也已研發(fā)成功SiC MOSFET,其目標(biāo)是到2023年實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET對(duì)矽基IGBT的全面替代。

展望2019年,在終端需求來(lái)方面來(lái)看,新能源汽車(chē)仍然為中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)最大需求來(lái)源,根據(jù)TrendForce資料顯示,2019年中國(guó)新能源車(chē)產(chǎn)量預(yù)估為150萬(wàn)輛,較前一年成長(zhǎng)45%,其ADAS系統(tǒng)、電控以及充電樁的需求將帶動(dòng)功率元件市場(chǎng)規(guī)模約270億元。

同時(shí),5G建設(shè)所需的基站設(shè)備及其普及后帶來(lái)物聯(lián)網(wǎng)、云端運(yùn)算的快速發(fā)展,將對(duì)功率半導(dǎo)體產(chǎn)生長(zhǎng)期大量需求,另外,工業(yè)自動(dòng)化規(guī)劃持續(xù)推進(jìn),與之相關(guān)的電源、控制、驅(qū)動(dòng)電路將持續(xù)推升中國(guó)功率半導(dǎo)體的采購(gòu)。